Power amplifiers stereo — JAVA Hi-Fi SINGLE SHOT GAN FET

Single Shot GaN FET는 뉴질랜드 회사 JAVA Hi-Fi의 스테레오 파워 앰프입니다. 이 회사는 창립자이자 CEO인 마틴 벨이 이끌고 있으며, 킥스타터를 통해 자금을 모은 광의존 저항기 프리앰프에서 시작했습니다. 2019년에는 GaN FET 트랜지스터를 최초로 사용하는 통합 앰프를 발표했습니다. 독립형 파워 앰프는 2023년 3월에 6개 모델로 구성된 Single Shot 및 Double Shot 라인의 일환으로 출시되었으며, 영국 가격은 GBP 6,790이었고 현재 마감에 따라 USD 7,495부터 시작합니다. 2025년에는 9 mm 탄소 섬유 케이스와 IsoAcoustics Gaia IV 발, ETI Research Kryo 바인딩 포스트를 갖춘 Carbon 버전이 추가되어 무게는 14.7 kg이며 가격은 USD 10,995입니다.

중요한 사양

정격 출력은 8옴에서 채널당 200 W이며, 제조사는 이 모델에 대한 4옴 수치를 공개하지 않습니다. 라인 레벨 신호는 단일 종단 RCA 쌍 또는 밸런스 XLR 쌍을 통해 입력됩니다. RCA 소켓은 ETI Research Silver 부품이며 스피커 바인딩 포스트도 ETI Research에서 제공합니다. 섀시는 폭 44 cm, 깊이 41.5 cm, 높이 13 cm이며 무게는 14.1 kg입니다. 케이스 마감은 화이트 새틴, 블랙 하이 글로스, 에보니 새틴, 에보니 하이 글로스, 다크 월넛 새틴 및 다크 월넛 하이 글로스가 제공되며, 8 mm 아노다이즈드 알루미늄 전면 패널은 구리, 은 또는 검정색으로 선택할 수 있습니다.

엔지니어링 및 사용 맥락

이 제품은 클래스 D 설계로, 실리콘 장치 대신 갈륨 나이트라이드 필드 효과 트랜지스터로 스위칭되는 모듈로 구축되어 있으며, JAVA는 이러한 모듈이 상호 변조 및 총 고조파 왜곡을 극도로 낮게 유지한다고 주장합니다. GaN 트랜지스터는 실리콘 부품보다 더 빠르게 스위칭되며, 스위칭 단계는 입력 에너지의 일부만 열로 변환하여 이러한 출력을 가진 스테레오 앰프가 이렇게 낮은 케이스에 적합하게 만듭니다. 회로 기판은 JAVA가 역 PCB 조립이라고 부르는 방식으로 거꾸로 장착되어 오디오 회로 주변의 진동과 공명을 제어합니다. 케이스는 브랜드의 프리앰프와 공유되므로 유닛이 일치하는 세트로 쌓일 수 있으며, 온라인 구성기를 통해 구매자는 주문 전에 케이스와 패널 색상을 조합할 수 있습니다. Single Shot 200 통합 앰프도 동일한 정격의 GaN FET 클래스 D 단계를 사용하며, 그곳에는 LDR 볼륨 컨트롤이 추가되어 있습니다.

페어링

입력 유형이 두 가지 모두 있기 때문에 RCA 전용 Single Shot LDR 프리앰프와 XLR 전용 Double Shot LDR, 그리고 기타 모든 라인 레벨 프리앰프를 수용합니다. 20 m2 방에서 일반 효율의 스피커는 충분히 사용할 수 있습니다.

대안

JAVA Double Shot GaN FET 스테레오 파워 앰프는 채널당 정격 출력을 두 배로 늘리며 무게는 15.4 kg이고 가격은 USD 9,495부터 시작합니다.