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Amplificateurs de puissance stéréo — JAVA Hi-Fi DOUBLE SHOT GAN FET

Description, images, données techniques et caractéristiques

JAVA Hi-Fi DOUBLE SHOT GAN FET
Source de l'image — © JAVA Hi-Fi

Le Double Shot GaN FET est un amplificateur de puissance stéréo de JAVA Hi-Fi, construit autour de transistors de sortie en nitrure de gallium pour une puissance élevée dans un châssis compact. JAVA Hi-Fi a construit son catalogue spécifiquement autour de la technologie GaN FET, un développement relativement récent dans l'amplification de puissance connu pour fournir une sortie élevée avec considérablement moins de chaleur et de volume que les dispositifs de sortie bipolaires ou MOSFET conventionnels.

Position dans la gamme

Il se situe au-dessus du Single Shot GaN FET dans la gamme d'amplificateurs de JAVA Hi-Fi, avec des chiffres de sortie environ deux fois supérieurs à ceux de ce modèle, selon la convention de nommage. En tant que modèle à sortie plus élevée dans une gamme à deux niveaux clairement nommée, cet amplificateur partage probablement la même technologie fondamentale de stage de sortie GaN FET que son homologue Single Shot, augmentée par une configuration de dispositif de sortie doublée ou parallèle.

Caractéristiques clés importantes

La puissance nominale est de 400 W sous 8 ohms, doublant à 800 W sous 4 ohms. Avec des dimensions de 440 x 415 x 130 mm et un poids de 9,2 kg, il est remarquablement léger pour sa puissance nominale, en accord avec l'efficacité des dispositifs de sortie GaN FET, qui fonctionnent généralement beaucoup plus frais qu'un design conventionnel de puissance similaire, permettant un dissipateur thermique plus léger et un châssis global.

Son et contexte d'utilisation

Attendez-vous à une présentation très puissante d'un châssis compact et léger, avec le doublement propre sous 4 ohms suggérant une alimentation robuste malgré le faible poids - l'avantage d'efficacité de la technologie GaN FET signifie que le poids modeste de cet amplificateur ne doit pas être confondu avec un manque de capacité de sortie réelle.

Association

La sortie de 400/800 W convient aux haut-parleurs exigeants ou à faible sensibilité sans nécessiter un amplificateur grand et lourd, un véritable avantage pratique pour un système où l'espace en rack ou le poids est une contrainte.

Alternatives

Le Single Shot GaN FET se trouve aux côtés de ce modèle dans la gamme de JAVA Hi-Fi à un niveau de puissance inférieur, à considérer si la sortie substantielle de 400/800 W de ce modèle dépasse ce que les haut-parleurs nécessitent réellement. La technologie d'amplificateur en nitrure de gallium reste un développement relativement récent dans le hi-fi grand public, et son bilan, bien que prometteur, est naturellement plus court que celui des conceptions bipolaires ou MOSFET établies. JAVA Hi-Fi possède des amplificateurs plus petits, tels que le Carbon Single Shot, qui offrent un point de référence utile pour comparer le voicing GaN FET de la marque à travers différents niveaux de puissance.

Caractéristiques

  • Nom du modèle

    DOUBLE SHOT GAN FET

  • Sensibilité d'entrée (mV)

    N/A

  • Impédance d'entrée (symétrique) (Ω)

    N/A

  • Impédance d'entrée (asymétrique) (Ω)

    N/A

  • Impédance de sortie (symétrique) (Ω)

    N/A

  • Impédance de sortie (asymétrique) (Ω)

    N/A

  • Courant maximal (A)

    N/A

  • Puissance de sortie (8Ω) (W)

    400

  • Puissance de sortie (4Ω) (W)

    800

  • Gain (dBu)

    N/A

  • Réponse en fréquence basse +/- 3dB (Hz)

    N/A

  • Réponse en fréquence haute +/- 3dB (Hz)

    N/A

  • Rapport signal/bruit (dB)

    N/A

  • Distorsion harmonique totale + bruit (0% de contre-réaction) (%)

    N/A

  • Distorsion harmonique totale + bruit (100% de contre-réaction) (%)

    N/A

  • Consommation électrique maximale (W)

    N/A

  • Facteur d'amortissement

    N/A

  • Dimensions (mm)

    440 x 415 x 130

  • Poids (kg)

    9.2

  • Lien officiel

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